Логотип sitime

SiTime

Усиленные OCXO

  1. О компании
  2. Поставщики
  3. SiTime
  4. Усиленные OCXO

Усиленные OCXO

MEMS OCXO (генераторы с термостатическим управлением) решают давние проблемы устаревших кварцевых OCXO, которые чувствительны к факторам окружающей среды и сложны в использовании. Эти OCXO повышают устойчивость систем PNT, обеспечивая надежное удержание, если система теряет сигнал GPS.

МодельЧастотаСтабильность, ppmТип выводаНапряжение питания, ВДиапазон температур, ° CРазмер, ммТехническое описание
Усиленные OCXO
SiT710110–60 МГц±0,003ppm (±3 ppb)
±0,005ppm (±5 ppb)		Регулируемый LVCMOS2.5 – 3.3-40 до +85
-40 до +95		9.0x7.0>> SiT7101
SiT710260–220 МГц±0,003ppm (±3 ppb)
±0,005ppm (±5 ppb)		Регулируемый LVCMOS2.5 – 3.340 до +85
-40 до +95		9.0x7.0>> SiT7102
SiT711110–60 МГц
±0,001ppm (±1 ppb)Регулируемый LVCMOS2.5 – 3.340 до +85
-40 до +95		9.0x7.0>> SiT7111
SiT711260–220 МГц
±0,001ppm (±1 ppb)Регулируемый LVCMOS2.5 – 3.3
40 до +85
-40 до +95		9.0x7.0>> SiT7112
Усиленные Super TCXO
SiT51461–60 МГц
±0.5
±1.0
±2.5		LVCMOS
Обрезанная синусоида
2.5 – 3.3-20 до +70
-55 до +105		5.0x3.2
(10 контакт)		SiT5146
SiT514760-220 МГц
±0.5
±1.0
±2.5		LVCMOS2.5 – 3.3-20 до +70
-40 до +105		5.0x3.2
(10 контакт)		SiT5147
SiT53461-60 МГц
±0.1
±0.2
±0.25		LVCMOS
Обрезанная синусоида
2.5 – 3.3-20 до +70
-40 до +105		5.0x3.2
(10 контакт)		SiT5346
SiT534760-220 МГц±0.1
±0.2
±0.25		LVCMOS2.5 – 3.3-20 до +70
-40 до +105		5.0x3.2
(10 контакт)		SiT5347
SiT53481-60 МГц
±0.05
LVCMOS
Обрезанная синусоида
2.5 – 3.30 до +70-5.0x3.2
(10 контакт)		SiT5348
SiT534960-220 МГц±0. 05LVCMOS
2.5 – 3.30 до +705.0x3.2
(10 контакт)		SiT5349
SiT55411-60 МГц
±0.01
±0.02		LVCMOS
Обрезанная синусоида
2.5 – 3.3-40 до +85
-40 до +105		7.0x5.0SiT5541
SiT55431-60 МГц
±0.005LVCMOS
Обрезанная синусоида
2.5 – 3.3-40 до +85
-40 до +95		7.0x5.0SiT5543

Контакты

Наш адрес:

С-Петербург, Рижская улица, дом 3,
БЦ "Наутилус" офис 225 (2 этаж)

E-mail:

officespec-spb@yandex.ru
ivanov@se-spb.ru

Телефон

+7 921 657-96-67